半岛彩票逻辑、存储芯片产业作为半导体两大核心赛道，目前我们已经在逻辑芯片赛道上失了先机，那么，在存储芯片赛道上能否扳回一城呢？
今年初，对美光公司在华销售产品,网络安全审查办公室作出不予通过网络安全审查的结论，国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。
这次反制措施是在国内弱势半导体产业链，而且还是终端存储芯片产品，是不是表明在存储芯片领域，国内有能力保证自身供应链的稳定与发展，从而让监管层有信心提升安全因素权重。
据美国半导体协会统计，2022年半导体行业销售额为5740亿美元，存储芯片销售额为1298亿元，占比22.61%，而这还是相关存储产品降价后的结果，可以看得出来，存储芯片占据半导体产业链四分之一左右的市场份额，在半导体所有子赛道中，仅次于逻辑芯片。
存储器品类繁多，分为光学存储器（DVD、CD）、半导体存储器、磁性存储器（磁带、机械硬盘等），由于光学、磁性存储器容量小、速度慢等缺点影响，已经逐渐被市场淘汰，现在主流的存储行业中以半导体存储器为主。如图表1所示，半导体存储器根据断电后是否丢失数据，分为易失型存储和非易失型存储，其中，易失型存储有SRAM（静态随机存取存储器）、DRAM（动态随机存取存储器）、FRAM（铁电存储器）等，非易失型存储有FLASH（闪存，可分为NOR、NAND两种类别）、EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）、PROM（可编程只读存储器）等。
1950年附近，美国半导体产业在全球拥有着先发优势，英特尔、德州仪器、美光为代表的美国企业在存储芯片掌控着主导地位，随后，日本举国之力攻克相关技术，在成本和性能方面开始领先美国厂商，导致在上世纪80年代开始，存储芯片行业逐步向日本转移，NEC、日立、富士通为代表的日企开始崛起，上世纪末，日本经济泡沫严重，同期韩国开始加大存储芯片行业的资本投入，存储产业开始向韩国转移，铸就三星、SK海力士等韩企辉煌时刻，此外，中国台湾地区以特殊代工模式也抢占了一部分市场份额。
在存储芯片产业每一次跃迁中，均可发现“制”的身影，如今，中国同样举全国之力发展存储芯片产业，在新一轮产业转移中，有望复刻跃迁历史。
当下，在存储芯片小众赛道上，国内的技术优势及市场份额均处于全球前列位置。比如，NOR FLASH领域，兆易创新（603986.SH）全球排名第三，相关产品容量多达16种，涵盖512KB至2GB，其工艺制程为55nm。EEPROM领域，聚辰股份（688123.SH）相关产品在智能手机摄像头、液晶面板、计算机及周边等细分领域里拥有领先优势，正逐步切入工业控制、通讯、汽车级EEPROM竞争领域，据测算，全球市占率在前三位置。SRAM领域，北京君正（300223.SZ）通过收购和自身持续研发，同样在该领域里建立了技术优势，据Omdia统计，2022年公司SRAM产品收入在全球市场中位居第二位。
存储芯片小众赛道目前国内已经奠定了第三次产业转移格局，然而，这些小众赛道合计收入才占据了整个存储芯片行业收入3%左右，余下的基本由DRAM和NAND Flash两个大赛道产品瓜分了，那么，在主流的存储市场中，中国企业又呈现怎样的市场格局？
现代计算机体系中，DRAM属于二级存储，根据应用场景不同，DRAM可分为DDR、LPDDR和GDDR三个系列，其中DDR主要运用在电脑、服务器领域，量产产品已经迭代至14nm DDR5，单个内存条容量可达64GB。LPDDR主要运用在智能手机上，相比DDR，该产品在功耗、尺寸、低电压等方面做出了更大优化，量产产品已经迭代至LPDDR5X，GDDR则主要运用在专业图形应用程序上，目前迭代至GDDR6。根据statsta数据，全球DRAM主流市场几乎由三星、SK海力士和美光所垄断，其合计市场占有率超95%，国内相关厂商正奋起直追，合肥长鑫已经能够量产17nm DRAM，但距离国际厂商还存在一定技术差距。在落后产能方面，随着国际厂商第二、三代产能的退出，国内相关DRAM产品份额将缓慢提升。
另外，人工智能、超级计算机的快速发展也促进了DRAM技术的升级，在高算力需求带动下，DRAM衍生出的HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）技术深受市场追捧，这是一种将多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起的新技术，有效打破二、三级之间“存储墙”制约，能够实现大容量，高位宽的DDR组合阵列，韩国的SK海力士与三星公司是该领域里的领军企业，目前技术已经迭代至HBM3，而国内企业在该领域的布局仍旧处于空白阶段。
由于低成本、大容量、较优的响应速度等特性影响、NAND Flash成为了当下非易失型存储的主流解决方案。根据闪存颗粒存储密度不同，NAND Flash又可分为SLC、MLC、TLC和QLC四大类，从左往右对比，其单位存储容量快速扩大，但相应的使用寿命也在持续减少，因此，对可靠性、稳定性及耐用性有较高的行业，比如航天航空、军工、通信等领域会使用SLC类闪存，而日常消费级产品一般使用的是TCL类闪存，往后随着技术升级，将迭代至QLC类闪存。
在上述技术基础下，为了实现更高容量、性能和更低功耗，半导体厂商都是往着更先进制程工艺迭代发展，力求在同样面积下装下更多基础单位容量，但是闪存单元格参数只能缩小至一定尺寸，若是继续迭代更先进工艺，其成本非常昂贵，不具备经济效益，为此，相关厂商给出的解决方案是3D堆叠，在平面发展经济效益低情况下，通过立体堆叠来实现高性能、高容量、低功耗目标。
现阶段，NAND Flash市场依旧是海外厂商垄断，市场前三大厂商分别是三星、铠侠和SK海力士，合计市占率约为65%，相比DRAM市场格局，NAND Flash市场垄断地位有所下降。从产能结构看，美光量产产能开始转向176层，其他厂商基本停留在128层，国内长江存储NAND工艺也处于128层，基本赶上了国际先进水平。
整体而言，在小众存储领域里，国内相关企业技术已经达到了国际先进水平，而在主流存储市场里，NAND Flash市场格局要好于DRAM市场，若是不考虑高端市场运用，则现阶段基本可以实现国产替代。
