半岛彩票半导体，顾名思义，就是导电性在绝缘体和导体之间的物体。导体能导电，意思就是能够让电流通过。而中学物理告诉我们，电流就是自由电子在电场力的作用下做定向运动形成的。
所以，导体中必须有大量的自由电子。那么这些自由电子怎么来的呢？我们知道，物质是由分子构成的，分子是由原子构成的，原子是由原子核以及围绕在周围的电子构成的。原子核带正电荷，电子带负电荷，异性相吸，所以电子围绕在原子核周围不停地转。这原子核，就像古代富贵家族的大公子哥，特别帅，有一种独特的吸引力，能吸引三妻四妾（电子）围在他身边。妻妻妾妾嫁进公子哥的家族后，那些住得和丈夫比较近的，天天耳鬓厮磨，感情深厚，自然不离不弃。
对应到物理学上，大家族豪宅内的区域，叫做原子核周围的 “价带”，而那道墙，叫做禁带，墙外的区域，叫做导带。
其中，禁带是不能存在电子的。而半导体呢，它的禁带宽度介于绝缘体和导体之间，价带的电子是有机会来到导带的，只是需要一些外部的能量。这外部的能量，可以是阳光，也可以是其他，例如额外的电压。
当然，关掉电压，半导体又不导电了。半导体从绝缘变成导体的时候，叫做击穿，这时候对应的电压叫做击穿电压，形成的电场强度叫做击穿场强。所以，“更宽的禁带宽度、更高的击穿电场”，意思都是在说，第三代半导体能承受更高的电压。
除了电压，半导体能不能导电，其实还和其他因素有关，例如掺杂程度。怎么理解这个惨杂程度呢？又要翻开中学理化课本了。我们用半导体最经典的材料硅来举例。硅元素有 14 个电子，按 2-8-4 分三层排列。可是我们知道，原子最外层 8 个电子可以构成稳定状态。这时硅就想了，我这最外层只有 4 个电子，要是能想办法凑成 8 个电子多好啊！方法还真有，那就是和别的原子共用。比如两个硅原子碰到一起，就会说，你最外面有 4 个电子，我最外面也有 4 个电子，咱俩共用一下，不就都有 8 个电子了吗？所以，硅原子在一起，都是以这样的状态存在的：
如果我们在硅里惨杂一些磷原子会怎样呢？磷的最外层有 5 个电子，当它和硅原子共享完 4 个电子后，就会发现自己还剩下 1 个多余的电子，这个电子就成了自由电子。硅+磷就会变成携带自由电子的半导体，我们把它叫做 “N 型半导体”。（负自由电子比正空穴多）
而如果我们掺杂的不是磷，而是硼呢？硼最外层有 3 个电子，所以它只能和硅共用 3 个电子，还差一个电子没法共用，那也没办法，只能空在哪里，所以就形成了等价于正电荷的空穴。这时候，硅+硼就成了一种类似于带正电荷自由电子的半导体，我们把它叫做 “P 型半导体”。（正空穴比负自由电子多）
一个带有很多自由移动的电子（负电荷），一个带有很多的空穴（相当于正电荷），要是把 N 型半导体和 P 型半导体放一块，那会怎么样呢？当 N 型半导体和 P 型半导体在一起，距离最近的自由电子和空穴首先迫不及待地结合在一起；然后距离比他们稍微远一些的自由电子和空穴也纷纷聚拢过来。
这些 “情侣”太喜欢秀恩爱了，就在路中间抱了起来，结果，他们形成了一道 “人墙”，把路给挡住了。这就尴尬了，他们挡住了路，后面的 “情侣”们就过不来了。这时候，右边的 N 型半导体中的一些自由电子因为和空穴结合，相当于失去了一些电子，因此整体呈现正电；左边的 P 型半导体中的一些空穴因为和自由电子结合，相当于失去了一些空穴，因此整体呈负电；
如此一来，两边就形成了一个电场，方向是从 N 型到 P 型，这个电场叫 “内建电场”。
因此这个内建电场形成后，N 区自由电子进入电场就会被弹出来，就像撞了墙一样，所以他们就到不了 P 区了。不过呢，前面我们说了，P 区也是有少量自由电子的，他们的受力方向和电场方向是相同的，就可以在电场力的作用下，顺利漂到 N 区。
这个过程叫做 “载流子漂移”，他们飘到 N 区的过程，代表这个 PN 半导体可以通电，直到两边达到平衡。而这个漂移运动的快慢，人们用 “电子迁移率”来表示。
注意，这些过程和上面 “人墙”的形成是动态同步进行的，人们把这种结构叫做 “PN 结”。
当然有用了。如果我们在 N 区施加负电压，P 区施加正电压，那么 PN 两边就会形成一个新的电场，反方向从 P 到 N。这个新的电场会抵消内建电场，内建电场被抵消后，“人墙”就会慢慢变小，最后消失，两边的载流子就可以畅通无阻了，这个 PN 半导体就可以通电；
而如果我们在 N 区施加的是正电，P 区施加的是负电，那么新的电场就会和内建电场方向相同，“人墙”就会越来越宽，导致载流子再也无法漂移，半导体就断电了。
晶体管是什么？其实就是很小很小的开关，控制半导体通电和断电，通电代表 “1”, 断电代表 “0”，由此形成各种庞大复杂的二进制运算。
半导体是一类材料的总称，集成电路是用半导体材料制成的电路的大型集合，芯片是由不同种类型的集成电路或者单一类型集成电路形成的产品。
对应成大家好理解的日常用品，半导体各种做纸的纤维，集成电路是一沓子纸，芯片是书或者本子。
实体往往要以芯片的形式存在，因为狭义的集成电路，是强调电路本身，比如简单到只有五个元件连接在一起形成的相移振荡器，当它还在图纸上呈现的时候，我们也可以叫它集成电路，当我们要拿这个小集成电路来应用的时候，那它必须以独立的一块实物，或者嵌入到更大的集成电路中，依托芯片来发挥他的作用；集成电路更着重电路的设计和布局布线，芯片更强调电路的集成、生产和封装。而广义的集成电路，当涉及到行业（区别于其他行业）时，也可以包含芯片相关的各种含义。
功率半导体：包括两部分：功率器件和功率IC，其中功率器件是功率半导体分立器件的简称，而功率IC则是将功率半导体分立器件与驱动/控制/保护/接口/监测等外围电路集成而来。
①以硅材料为主，广泛应用在手机、电脑等领域，比如电脑的和手机的处理器都采用这种硅基的半导体技术。
①砷化镓、锑化铟为代表，主要是功率放大，用于卫星通讯、移动通讯、导航等领域。
①以氮化镓、碳化硅为代表的化合物半导体，主要应用于光电子、电力电子和微波射频，比如手机快充、新能源车、轨道交通、5G基站、航空航天等等。②宽禁带、性价比高。宽禁带意味着产品具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点。
②集中在600V以下领域，主要应用于快充、电源开关、激光雷达、服务器电源、射频等市场；
③国外公司在技术实力以及产能上保持较大的领先。其中，行业龙头企业以IDM模式为主，其中，美国Qorvo拥有自身的晶圆代工厂以及封测厂，在国防以及5G射频芯片领域具备较大优势；而德国Infineon是专注于功率半导体领域，主要产品集中在6英寸GaN产线英寸产线也在发展中。国内厂商包括苏州能华、华功半导体以及英诺赛科等。
②用于1200V以上领域，主要应用于电动汽车、PFC电源、储能、充电桩、轨道交通、智能电网等领域。
③高纯石英砂是碳化硅的主要原料之一。因高纯石英砂的制备成本高、加工工艺要求高，因此目前全球具备批量生产高纯石英砂的厂商较少。在国外厂商方面，尤尼明、The Quartz Corporation是主要供应商;在国内厂商方面，石英股份是目前国内生产高纯石英砂龙头企业
BJT：双极性晶体管，俗称三极管。内部结构（以PNP型BJT为例）如下图所示。双极性即意味着器件内部有空穴和电子两种载流子参与导电。
由于图中 e（发射极）的P区空穴浓度要大于b（基极）的N区空穴浓度，因此会发生空穴的扩散，即空穴从P区扩散至N区。同理，e（发射极）的P区电子浓度要小于b（基极）的N区电子浓度，所以电子也会发生从N区到P区的扩散运动。
这种运动最终会造成在发射结上出现一个从N区指向P区的电场，即内建电场。该电场会阻止P区空穴继续向N区扩散。倘若我们在发射结添加一个正偏电压（p正n负），来减弱内建电场的作用，就能使得空穴能继续向N区扩散。
扩散至N区的空穴一部分与N区的多数载流子——电子发生复合，另一部分在集电结反偏（p负n正）的条件下通过漂移抵达集电极，形成集电极电流。
值得注意的是，N区本身的电子在被来自P区的空穴复合之后，并不会出现N区电子不够的情况，因为b电极（基极）会提供源源不断的电子以保证上述过程能够持续进行。这部分的理解对后面了解IGBT与BJT的关系有很大帮助。
MOSFET：金属-氧化物-半导体场效应晶体管，简称场效晶体管。内部结构（以N-MOSFET为例）如下图所示。
在P型半导体衬底上制作两个N+区，一个称为源区，一个称为漏区。漏、源之间是横向距离沟道区。在沟道区的表面上，有一层由热氧化生成的氧化层作为介质，称为绝缘栅。在源区、漏区和绝缘栅上蒸发一层铝作为引出电极，就是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
上节我们提到过一句，MOSFET管是压控器件，它的导通关断受到栅极电压的控制。我们从图上观察，发现N-MOSFET管的源极S和漏极D之间存在两个背靠背的pn结，当栅极-源极电压VGS不加电压时，不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压，总有一个pn结处于反偏状态，漏、源极间没有导电沟道，器件无法导通。
但如果VGS正向足够大，此时栅极G和衬底p之间的绝缘层中会产生一个电场，方向从栅极指向衬底，电子在该电场的作用下聚集在栅氧下表面，形成一个N型薄层(一般为几个nm)，连通左右两个N+区，形成导通沟道，如图中黄域所示。当VDS＞0V时，N-MOSFET管导通，器件工作。
了解完以PNP为例的BJT结构和以N-MOSFET为例的MOSFET结构之后，我们再来看IGBT的结构图↓
这部分结构和工作原理实质上和上述的N-MOSFET是一样的。当VGE0V，VCE0V时，IGBT表面同样会形成沟道，电子从n区出发、流经沟道区、注入n漂移区，n漂移区就类似于N-MOSFET的漏极。
蓝色虚线部分同理于BJT结构，流入n漂移区的电子为PNP晶体管的n区持续提供电子，这就保证了PNP晶体管的基极电流。我们给它外加正向偏压VCE，使PNP正向导通，IGBT器件正常工作。
此外，图中我还标了一个红色部分，这部分在定义当中没有被提及的原因在于它实际上是个npnp的寄生晶闸管结构，这种结构对IGBT来说是个不希望存在的结构，因为寄生晶闸管在一定的条件下会发生闩锁，让IGBT失去栅控能力，这样IGBT将无法自行关断，从而导致IGBT的损坏。具体原理在这里暂时不讲，后续再为大家更新。MOSFET主要应用于中小功率场合如电脑功率电源、家用电器等，具有门极输入阻抗高、驱动功率小、电流关断能力强、开关速度快、开关损耗小等优点。
随着下游应用发展越来越快，MOSFET的电流能力显然已经不能满足市场需求。为了在保留MOSFET优点的前提下降低器件的导通电阻，人们曾经尝试通过提高MOSFET衬底的掺杂浓度以降低导通电阻，但衬底掺杂的提高会降低器件的耐压。这显然不是理想的改进办法。
但是如果在MOSFET结构的基础上引入一个双极型BJT结构，就不仅能够保留MOSFET原有优点，还可以通过BJT结构的少数载流子注入效应对n漂移区的电导率进行调制，从而有效降低n漂移区的电阻率，提高器件的电流能力。
经过后续不断的改进，目前IGBT已经能够覆盖从600V—6500V的电压范围，应用涵盖从工业电源、变频器、新能源汽车、新能源发电到轨道交通、国家电网等一系列领域。IGBT凭借其高输入阻抗、驱动电路简单、开关损耗小等优点在庞大的功率器件世界中赢得了自己的一片领域。转自：橘子说IGBT
芯片产业链核心环节为产业链中游的芯片设计、芯片制造、封装测试。而上游基础EDA软件、材料和设备是中游制造的关键，中国芯片在这部分较为受制于人，其中芯片产业链最薄弱的环节为最上游的EDA软件。
EDA设计软件，也是整个产业链最高端的行业。EDA软件是芯片之母，是芯片设计必需的软件工具。目前，全球芯片设计的高端软件EDA被美国Synopsys、Cadence、Mentor三大公司所垄断。本土EDA企业有华大九天、广立微电子、芯华章、概伦电子等,目前国产技术最先进是华大九天。
半导体材料，这里面硅片所占比重最大，约为30%，其次是电子特种气体、光掩膜和光刻胶。沪硅产业和中环股份为中国生产半导体硅片的龙头企业。
光刻确定了芯片的关键尺寸，在整个芯片的制造过程中占据了整体制造成本的35%。目前为止，世界顶级的5nm光刻机仅有荷兰ASML公司可以制造。众所周知，美国至今依旧是世界上科学技术最为发达的国家，那么为什么光刻机这样尖端的技术却被荷兰的公司掌握了呢？
制造芯片得有芯片设备，龙头企业中有北方华创、盛美半导体、中微公司、晶盛电机等。
芯片设计就是通过eda设计软件画出电路图，我国主要的IC设计企业分别华为海思半导体、紫光展锐、韦尔股份(韦尔+豪威+思比科)、北京智芯微、比特大陆、华大半导体、中兴微电子、汇顶科技、士兰微、北京矽成、格科微等相关企业。
也叫做晶圆代工，大型企业设计的芯片，通过晶圆厂家加工制造，比如：苹果、华为通过台积电加工，三星自己设计自己加工制造。
封测有着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用。芯片封测技术我国已经走在世界前列，这为我们大力发展芯片提供了良好的基础。相关企业全球占有率如下图：
对于目前国产芯片，和外国高端玩家差距实在太大了。因此国产芯片要想成功上位，短期内太难了。这里面a股相关企业，我个人最靠谱的几个企业如下：
