半岛彩票资本市场的热点层出不穷，近期，HBM概念全面发酵，成为半导体产业链的新宠。
HBM（High Bandwidth Memory，高性能高带宽内存），对很多投资人来说是个陌生的名词，人们对它的印象或还停留在上半年，当时，SK海力士率先推出了HBM3E，宣布将于2023年下半年发布样品，2024年上半年投入生产。
而此次英伟达发布了搭载全新HBM3E内存的下一代AI芯片H200芯片，直接将HBM概念炒作推向高潮。
HBM是什么？通俗来说，这是一种新型的存储芯片技术，通过将多个存储芯片堆叠在一起后和GPU封装，实现大容量和高速数据传输，以满足高性能计算、人工智能、大数据等领域的需求。
多家机构在H200发布后为HBM概念鼓与呼，提示投资者关注其中的产业链机会。机构普遍认为，HBM将拉动上游设备及材料用量需求提升。但从产业链人士的反馈来看，对这一概念炒作表现相对冷静。
英伟达最新产品H200被称为“史上最强的AI芯片”，以每秒4.8TB的速度提供141GB的内存，与H100的80GB和3.35TB/s相比，显存容量增加76%，显存带宽增加43%。而其搭载的HBM3E正是H200升级的重点。
公开信息显示，HBM是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM架构，能够实现巨大的内存带宽，尤其是HBM3与CPU整合使用之后，可以显著推动片中内存的发展，这一技术被视为推动高性能和加速计算的有效途径之一。
据市场调研机构Trend Force预计，2023年全球HBM需求量将增近六成，达到2.9亿GB，2024年将再增长30%，2025年HBM整体市场有望达到20亿美元以上。
2013年，SK海力士宣布成功研发HBM1，定义了这一显存标准。此后逐渐扩展到经历了HBM1、HBM2和HBM3等多个版本的发展。HBM3E是HBM3的下一代产品，SK海力士是目前世界上唯一一家能够大规模生产HBM3芯片的公司。
据媒体报道，继英伟达之后，包括AMD、微软和亚马逊等全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3E。
HBM在此时爆火可谓恰逢“天时地利”，在AI算力的催化下，市场对高性能芯片需求暴涨，英伟达GPU芯片更是一“芯”难求，作为算力升级的核心要点，HBM这把火自然也烧到了国内市场。
就下游应用而言，HBM市场在智能手机、平板电脑、游戏机和可穿戴设备的需求在不断增长，但由于消费领域对成本较为敏感，目前HBM还是主要应用于AI服务器、数据中心等领域。
一家封测服务商向21世纪经济报道记者介绍，HBM的发展还和下游新能源汽车相关的终端应用有密切联系，新能源汽车相比传统车型对芯片的需求大大提升。随着下游市场消费复苏，未来新能源汽车的放量会有较好前景。
华福证券认为，HBM成为存储大厂兵家必争之地，H200或将再次掀起HBM布局大战。
上海证券认为，AI的崛起让多种智能终端找到变革新方向，未来AI向服务器、笔电等更广泛领域渗透有望持续提升HBM市场规模，先行布局的存储厂商将持续强化HBM市场集中度；与此同时，HBM所带动的先进封装产业链上各公司也将持续受益。
21世纪经济报道记者梳理多家机构研报发现，整体来看，HBM产业链主要由IP、上游材料、晶粒设计制造、晶片制造、封装与测试等五大环节组成。
由于国际大厂均采用IDM模式，芯片的设计、制造和封测都由大厂一手包办，国内厂商主要处于上游设备和材料供应环节。
从个股表现来看，备受资金关注的公司和机构提示的产业链机会有所吻合，如，亚威股份（002559.SZ）实现四连板，华海诚科（688535.SH）三日累计涨幅超22%，太极实业（600667.SH）三日累计涨幅超17%，集中在设备和材料环节。
具体而言，比如华海诚科业务涉及HBM的上游材料，公司高端材料GMC已通过客户验证，而GMC高性能环氧塑封料是HBM的必备材料。雅克科技向SK海力士、三星电子等提供逻辑芯片。
HBM代理商有香农芯创（300475.SZ)，其是海力士HBM国内代理，公司曾在互动平台上印证这一点。
此外，HBM实现的关键还需要先进的封装技术。据公开资料，中富电路（300814.SZ）、兴森科技（002436.SZ）、晶方科技（603005.SH）等涉及相关业务。
一家近日股价涨幅超10%的封装基板供应商对21世纪经济报道记者表示，公司的相关产品确实可用于HBM存储的封装。但对于HBM的前景，该人士坦言目前还没有量产，不好估计未来发展的前景，并建议投资者不要盲目炒作。
华海诚科也回应称，颗粒状环氧塑封料（GMC）是公司用于集成电路先进封装的材料的一种，下游客户为封测厂家，目前颗粒状环氧塑封料尚处于验证阶段，没有形成批量销售，相关产品尚未给公司带来业务收入。
“HBM市场被SK海力士、三星和美光三家公司垄断。目前SK海力士等公司正在积极开发新一代HBM产品，以巩固自身的市场领导地位。中国的HBM技术水平正在逐步提升，已经有公司开始设计制造，但与国际先进水平相比还有一定的差距。”深度科技研究院院长张孝荣对21世纪经济报道记者表示。
谈及HBM的技术难点，张孝荣对记者分析：“HBM突破了内存容量与带宽瓶颈，技术难点主要包括TSV工艺、电镀、测试、键合等方面。TSV工艺是HBM的核心工艺，其难度较大，需要高精度的设备和技术。电镀、测试、键合等环节也需要高精度的设备和技术，以保证产品的稳定性和可靠性。”
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