半岛彩票在氮化镓快充市场不断拓展的过程中，电源技术水平也在不断提升，起初的氮化镓快充电源一般需要采用控制器+驱动+氮化镓功率器件组合设计，不仅电路布局较为复杂，产品开发难度相对较大，而且成本也比较高。
为了实现更高的功率密度并降低外围器件数量，目前已有众多电源芯片厂商着手布局集成度更高的合封氮化镓芯片产品线。这些芯片能够将氮化镓功率器件、PWM控制、驱动、保护等功能整合在一颗芯片上，一颗芯片即可实现原有数颗芯片的功能，不仅能够提升整体方案的性能，还有助于减少PCB板的占用空间、缩小产品尺寸，并削减物料成本。此外，它们还有效降低了快充方案在高频下的寄生参数，减小振铃现象，从而降低了开关损耗。这些芯片也不容易受到初级电流干扰，提高了系统的可靠性和开关速度。电源工程师在应用过程中能更加方便、快捷地完成调试工作，从而加速产品研发周期。
合封氮化镓芯片的应用范围广泛，包括电子设备、通信设备、电动汽车充电器、工业电源以及可再生能源系统等。这些芯片不仅可以提供高效的电源转换，还常常包括多种保护功能以确保电源系统的安全性和可靠性。
充电头网总结了力生美推出的多款合封氮化镓芯片，功率范围涵盖25W-45W，并汇总成下表所示，详细介绍了这些芯片的具体型号以及相关特性。
LN9T28xF是一系列针对高密度、高性能的快充电源合封氮化镓芯片，内置700V氮化镓功率器件，工作频率130kHz（另有65kHz版本），可用于45W和30W氮化镓快充电源设计，协助电源厂商轻松构建低待机功耗、低成本、高性能的解决方案，以满足应用中的 CoC V5 和 DoE VI 能效。
力生美LN9T28xF芯片PWM开关频率由芯片内部设定，具有全温度补偿，最大值设置为 130kHz。在空载或轻载条件下，集成电路可工作于智能中断模式，以降低开关损耗，从而在具有较低待机功耗的同时实现良好的转换效率。LN9T28xF芯片采用准谐振工作模式，谷底开关提高效率，空载功耗低至50mW，芯片内置软启动控制电路，扩展的轻载控制可优化能效及待机功耗，全负载均无音频噪声。
低 VDD 启动电流和工作电流使 LN9T28xF 具有非常高的可靠性和使用寿命。可以使用阻值较大的电阻来完成电路的启动，这样也降低了启动电阻的损耗，进一步降低了系统待机功耗。LN9T28xF 还提供了一个非常全面的自动恢复保护电路，包括逐周期电流限制 (0CP)、具有高低压补偿的输出过载保护 (OLP)、VDD 过压钳位和欠压锁定 (UVLO) 。
力生美LN9T28xF芯片采用ESOP8封装，适用于电源适配器、快充适配器、开放式电源等领域之中。
LIC3515F是一款新一代的高性能、高度集成的电流模式PSR电源开关集成电路。它能轻松实现低待机功耗，最低可达30mW或更低，同时具备高效率转换和低功耗特性，以满足CoC V5和DoE LEVEL VI的能效标准，适用于峰值功率高达40W的应用场景。
该芯片提供了高性能的PSR主控CC/CV开关电源解决方案，内置高精度的恒流和恒压控制，并采用了优化的谷点开关技术，能够在全范围内提供不低于±3%的输出电流精度和±2%的输出电压精度误差。
LIC3513D是一款新一代高性能、高度集成的电流模式PSR电源开关集成电路。它能轻松实现低待机功耗，最低可降至30mW或更低，同时具备高效率转换和低功耗特性，以满足CoC V5和DoE LEVEL VI的能效标准，适用于峰值功率高达30W的应用场景。
该芯片提供高性能的PSR主控CC/CV开关电源解决方案，内置高精度的恒流和恒压控制，采用优化的谷点开关技术，全范围内输出电流精度误差优于±3%，输出电压精度误差优于±2%。
LIC3511B是一款新一代高性能、高度集成的电流模式PSR电源开关集成电路。它能轻松实现低待机功耗，最低可达30mW或更低，同时具备高效率转换和低功耗特性，满足CoC V5和DoE LEVEL VI的能效标准，适用于峰值功率高达25W的应用场景。
LIC3511B是高性能的PSR主控CC/CV开关电源解决方案，内置高精度的恒流和恒压控制，采用优化的谷点开关技术，提供全范围内优于±3%的输出电流精度和±2%的输出电压精度误差。
第三代半导体氮化镓技术的成熟，催生了高密电源的大规模的普及。而消费类电源产品凭借迭代迅速的优势，率先实现了氮化镓技术的规模化商用，并获得市场一致认可。对于小功率高密电快充电源而言，近年来衍生出的合封氮化镓芯片无疑是理想选择，既能减少PCB板面积，也有助于降低成本。
力生美半导体在电源管理芯片领域深耕十余年，拥有USB PD快充电源、手机充电器、电池充电器、开关电源适配器、家电电源、智能家居电源、IoT系统电源、电动工具电源等多种电源芯片解决方案产品线W电源推出的合封氮化镓芯片系列，一方面是对现有产品线的拓展和完善，同时也体现出力生美半导体紧跟时代步伐，积极布局第三代半导体产品线的能力。
