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芯半岛彩票片技术发展史

发布时间:2023-10-29 08:59浏览次数: 来源于:网络

  半岛彩票集成电路(芯片)技术自1958年诞生以来,已有63年的发展历史。在今天的信息化社会中,芯片无疑是最重要的基础支撑。近年来,芯片核心技术已成为美国维护科技霸权,围堵打压他国的利器。人们都想知道,芯片技术是如何由开始的原始和不成熟,一步一步发展成为今天高科技皇冠上的技术明珠。本文将以照片和图示为主,以文字为辅,说说芯片技术60多年的发展史。

  芯片技术发展史:就要从半导体的发现和研究、电子管、晶体管和集成电路的发明说起。正是因为这些发现、研究和发明,电子技术及电子工业才得以诞生。从此,人类社会拉开了电子信息化的序幕。

  1833年,英国科学家迈克尔.法拉第(Michael Faraday)在测试硫化银(Ag2S)特性时,发现硫化银的电阻随着温度的上升而降低的特异现象,被称为电阻效应,这是人类发现的半导体的第一个特征。

  1839年,法国科学家埃德蒙.贝克雷尔(Edmond Becquerel)发现半导体和电解质接触形成的结,在光照下会产生一个电压,这就是后来人们熟知的光生伏特效应,简称光伏效应。这是人类发现的半导体的第二个特征。

  1873年,英国的威洛比.史密斯(Willoughby Smith)发现硒(Se)晶体材料在光照下电导增加的光电导效应,这是人类发现的半导体的第三个特征。

  1874年,德国物理学家费迪南德.布劳恩(Ferdinand Braun)观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关。在它两端加一个正向电压,它是导通的;如果把电压极性反过来,它就不导电,这就是半导体的整流效应,这是人类发现的半导体的第四个特征。同年,出生在德国的英国物理学家亚瑟.舒斯特(Arthur Schuster)又发现了铜(Cu)与氧化铜(CuO)的整流效应。

  虽然半导体的这四个效应在1880年以前就先后被科学家发现,但半导体这个名词大概到了1911年才被科尼斯伯格(J.Konigsberger)和维斯(I.Weiss)首次使用。后来,关于半导体的整流理论、能带理论、势垒理论才在众多科学家的努力下逐步完成。

  其后二十多年,世界上出现了一些半导体应用案例。例如,1907~1927年美国的物理学家研制成功了晶体整流器、硒整流器和氧化亚铜(Cu2O)整流器等。1931年,硒光伏电池研制成功。1932年,德国先后研制成功硫化铅(PbS)、硒化铅(PbSe)和碲化铅(PbTe)等半导体红外探测器等。

  1947年,美国贝尔实验室全面总结了半导体材料的上述四个特性。从1880~1947年长达67年的时间里,由于半导体材料难以提纯到理想的程度,因此半导体材料研究和应用进程非常缓慢。此后,四价元素锗(Ge)和硅(Si)成为了科学家最为关注和大力研究的半导体材料。而在肖克莱(W.Shockley)发明锗晶体三极管的几年后,人们发现硅更加适合生产晶体管。此后,硅成为应用最广泛的半导体材料,并一直延续至今。这也是美国北加州成为硅工业中心后,被称为“硅谷”的原因。

  半导体材料是导电性能介于导体和绝缘体之间的材料,它们的电阻比导体大得多,但又比绝缘体小得多。其电学性能可以人为加以改变。常见的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等。

  1904年,英国物理学家约翰.安布罗斯.弗莱明(John Ambrose Fleming)发明了世界上第一个电子管,它是一个真空二极管,他获得了这项发明的专利。

  1906年,美国工程师李.德.福雷斯特(Lee de Forest)在弗莱明真空二极管的基础上又多加入了一个栅极,发明了另一种电子管,它是一个真空三极管,使得电子管在检波和整流功能之外,还具有了放大和震荡功能。福雷斯特于1908年2月18日拿到了这项发明的专利。

  真空三极管被认为是电子工业诞生的起点。它的应用时期长达40多年。由于电子管具有体积大、耗电多、可靠性差的缺点,最终它被后来者晶体管所取代。

  1947年,美国贝尔实验室的巴丁(J.Bardeen)、布拉顿(W. Brattain)、肖克莱(W.Shockley)三人发明了点触型晶体管,这是一个NPN锗(Ge)晶体管,他们三人因此项发明获得了1956年诺贝尔物理学奖。

  1950年,当蒂尔(G.K.Teal)和利特尔(J.B.Little)研究成功生长大单晶锗的工艺后,威廉姆.肖克莱(W.Shockley)于1950年4月制成第一个双极结型晶体管—PN结型晶体管,这种晶体管实际应用比点触型晶体管广泛得多。今天的晶体管,大部分仍是这种PN结型晶体管。所谓PN结就是P型半导体和N型半导体的结合之处,P型半导体多空穴。N型半导体多电子。

  1952年,实用的结场效应晶体管(JunctionField-Effect Transistor,JFET)被制造出来。结场效应晶体管(JFET)是一种用电场效应来控制电流的晶体管。到了1960年,有人提出用二氧化硅改善双极性晶体管的性能,就此金属-氧化物-半导体(Metal Oxid Semiconductor,MOS)场效应晶体管诞生。艾塔拉(M.Atalla)也被认为是MOS场效应晶体管(MOSFET)的发明人之一。

  MOSFET宣告了在电子技术中的统治地位,并且支撑了当今信息社会的基石——大规模集成电路发展。实际上,场效应晶体管(FET)由朱利叶斯.利林费尔德(JuliusLilienfeld)于1925年和德国物理学家奥斯卡.海尔(Oskar Heil)于1934年分别发明出来,只是一直未能制造出实用的晶体管器件。晶体管发明是微电子技术发展历程中第一个里程碑。晶体管的发明使人类步入了飞速发展的电子信息时代。到目前为止,它的应用已长达74年之久。

  1950年,美国人拉塞尔.奥尔(Russell Ohl)和威廉姆.肖克莱(W.Shockley)发明了离子注入工艺,1954年肖克莱申请了这项发明的专利。离子注入是将杂质电离成离子并聚焦成离子束,在电场中加速后注入到硅材料中去,实现对硅材料的掺杂,目的是改变硅材料的导电性能。离子注入是最早采用的半导体掺杂方法,它是芯片制造的基本工艺之一。

  1956年,美国人富勒(C.S.Fuller)发明了扩散工艺;扩散是掺杂的另一种方法,它也是芯片制造的基本工艺之一。

  离子注入工艺和扩散工艺是两种掺杂方法。离子注入用于形成较浅的半导体结(Junction),扩散用于形成较深的半导体结。掺杂就像炒菜中添加调味料,它是对半导体材料的“添油加醋”。少量的其它物质掺进很纯的半导体材料中,使其变得不纯,对于半导体材料来说,其它物质就是杂质,掺入的过程就称为掺杂。掺杂是将一定数量的其它物质掺加到半导体材料中,人为改变半导体材料的电学性能的过程。

  1958年,美国仙童公司的罗伯特.诺伊斯(Robert Noyce)与美国德仪公司的杰克.基尔比(Jack Kilby)间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史。诺伊斯是在基尔比发明的基础上,发明了可商业生产的集成电路,使半导体产业由“发明时代”进入了“商用时代”。

  基尔比因为发明集成电路而获得2000年的诺贝尔物理学奖。诺伊斯是仙童半导体公司(1957年成立)和英特尔公司(1968年成立)的创办人之一,他是伟大的科学家,是集成电路史上重要人物。遗憾的是,他之前在肖克莱实验室工作时,发明“负阻二极管”得不到老板支持而终止,后来日本科学家江崎玲于奈(Leo Esaki)在此项发明上获诺贝尔奖;他于1990年逝世,未等到2000年与基尔比分享当年的诺贝尔物理学奖,两次均与科技最高荣誉无缘。但是,他们两人都被誉为是集成电路之父。

  1960年,卢尔(H.H.Loor)和克里斯坦森(Christenson)发明了外延工艺。外延是指在半导体单晶材料上生长一层有一定要求的、与基片晶向相同的单晶层,犹如原来的晶体向外延伸生长了一层。

  1960年,光刻工艺是首次应用在芯片制造中的吗?这是一个重要问题,需要本文重点讨论。我的公众号【芯论语】的另一篇文章“光刻如何一步一步变成了芯片制造的卡脖子技术?”指出,光刻工艺是芯片制造的灵魂技术。正是光刻工艺的出现,才使得硅器件制造进入到了平面加工技术时代,才有大规模集成电路和微电子学飞速发展的今天。

  1962年,美国无线电公司(RCA)的史蒂文.霍夫施泰因(Steven Hofstein) 弗雷德里克.海曼(Frederic Heiman)研制出了可批量生产的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET,并采用实验性的16个MOS晶体管集成到一个芯片上,这是全球真正意义上的第一个MOS集成电路。

  1963年,仙童公司的弗兰克.万拉斯(Frank M.Wanlass)和华人萨支唐(C.T.Sah)首次提出CMOS电路技术。他们把N-MOS和P-MOS连接成互补结构,两种极性的MOSFET一关一开,几乎没有静态电流,适合于逻辑电路。1963年6月,万拉斯为CMOS申请了专利,但是几天之后,他就离开了仙童公司。首款CMOS电路芯片是由RCA公司研制。CMOS电路技术为大规模集成电路发展奠定了坚实基础。今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺制造。

  1964年,Intel公司创始人之一的戈登.摩尔(Gordon Moore)提出著名的摩尔定律(Moores Law),预测芯片技术的未来发展趋势是,当价格不变时,芯片上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。后来50多年芯片技术的发展证明了摩尔定律基本上还是准确的。

  1966年,美国RCA公司研制出CMOS集成电路和第一块50门的门阵列芯片。

  1967年,美国应用材料公司(AppliedMaterials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司。2020财年全年营收172亿美元,研发投入达22亿美元,全球拥有24000名员工,拥有14300个专利。业务涵盖半导体、显示器、太阳能、柔性镀膜、自动化软件等。下图是应用材料公司半导体业务部分的综述。

  1967年,贝尔实验室江大原(DawonKahng)和施敏博士(Simon Sze)共同发明了非挥发存储器。这是一种浮栅MOSFET,它是可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、闪存(Flash)的基础。

  1968年,IBM公司的罗伯特.登纳德(Robert H.Dennard)发明单晶体管动态随机存取存储器(DRAM)。发明名称是“一个关于晶体管动态RAM单元的发明”。单晶体管DRAM是一个划时代的发明,它后来成为了计算机内存的标准。Dennard于1997年入选了国家发明家名人堂;2009年获得IEEE荣誉勋章,这是电子电气领域的最高荣誉。

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