半岛彩票【CNMO新闻】11月30日，CNMO注意到，业内消息人士称，NAND闪存现货价格持续上涨，而DRAM定价趋势则不太稳定。随着旺季接近尾声，11月存储现货价格增长放缓。由于芯片厂商持续减产，上游NAND供应依然紧张，存储模组厂商无法在价格进一步上涨之前建立足够的库存。渠道库存压力并未阻止NAND闪存晶圆价格上涨。主流512Gb市场的现货价格强劲上涨，进一步推动芯片供应商实现收支平衡。
此外，据DigiTimes报道，自今年7月底8月初到达谷底后，DRAM和NAND闪存芯片价格过去几个月里一直在上涨，这也让三星、SK海力士和美光这样的存储器大厂处于更安全的位置。在此期间，除了减产措施以外，材料短缺也影响了价格的变动。虽然DRAM和NAND闪存芯片价格还没有回到今年初的水平，不过几个月下来上涨的幅度并不小，比如512GB的NAND闪存芯片价格几乎是7月时的两倍，256GB也在同一时间段上涨了55%，而两条8GB的DDR4内存套装比起8月时涨价了10%。
TrendForce之前发布研报指出，存储器整体涨势有望延续，预计明年一季度Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合约价仍将续涨。存储模组厂威刚此前则表示，随着大厂大幅减产效益浮现，看好存储价格从今年四季度到明年上半年一路上涨，明年起更会进入为期二年的存储多头格局，未来二年市场供给将吃紧并出现缺货状况。
