半岛彩票晶芯实验室成立于2012 年3月，晶芯半导体公司累计投入数千万构建了完备的集成电路分析实验室平台，配备了国外先进的等离子蚀刻机（RIE）、光学显微镜、电子显微镜（SEM）和聚焦离子束机（FIB）等设备，满足各项集成电路失效分析服务的要求。
为保证良好的拍照效果，我们采用先进光学显微镜和电子显微镜，能够拍摄28nm工艺以上的各种芯片的图像。同时，我们免费为客户进行图像的三维拼接，能够大带同层图像完整无缝、异层图像精确对准的效果。
集成电路失效分析实验室利用先进的聚焦离子束机（FIB）通过刻蚀和沉积的方法能够修改多层布线的集成电路芯片。主要服务项目包括集成电路芯片引线修改（能够修改最小工艺为65nm）；集成电路芯片材料和成分鉴定；微电路故障分析（最小尺寸为28nm）
芯片中各种半导体器件，都是在硅基板上用不同浓度的P型掺杂和N型掺杂组合而成。利用PN型掺杂半导体对特殊化学试剂的显色反应，对芯片进行阱区染色让不同的区域呈现出差异性的颜色，以便于识别半导体器件。
ROM码点染色：ROM存储模式中有大部分是利用离子注入的方式来区分0和1，当读取ROM中的0和1代码时，就需要对芯片进行染色以区分0和1。
采用先进的刻蚀设备和成熟的刻蚀方法，专业提供去除聚酰亚氨（Polyimide）、去除氧化层（SiO2）、去除钝化层（Si3N4、SiO2）、去除金属层（Al 、CU、W）等芯片去层次技术支持与服务，承诺以完美的刻蚀效果为客户提供专业的芯片处理。
阱区染色：模拟类型芯片进行反向分析往往需要分析P阱和N阱的分布情况，因此需要对芯片进行阱区染色，把P阱和N阱用不同的颜色加以区分。
晶芯实验室工程师利用先进的开盖设备和丰富的操作经验，能够安全快速去除各种类型的芯片封装，专业提供芯片开盖与取晶粒服务。
FIB聚焦离子束可直接对金属线做切断、连接或跳线处理. 相对于再次流片验证, 先用FIB工具来验证线路设计的修改, 在时效和成本上具有非常明显的优势.
此外，公司技术团队还积累了诸如原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF － SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统，能量损失 X 光微区分析系统等多种复杂分析手段。
X-Ray是利用阴极射线管产生高能量电子与金属靶撞击，在撞击过程中，因电子突然减速，其损失的动能会以X-Ray形式放出。而对于样品无法以外观方式检测的位置，利用纪录X-Ray穿透不同密度物质后其光强度的变化，产生的对比效果可形成影像即可显示出待测物之内部结构，进而可在不破坏待测物的情况下观察待测物内部有问题的区域。
