半岛彩票全球三大存储器厂三星、SK海力士、美光全力抢攻高频宽存储器（HBM）、DDR5等两大新市场，新产能均投入相关新品，无暇兼顾利基型应用的DDR3规格DRAM市场，近期AI、网通需求窜升，DDR3出现供给吃紧，价格水涨船高，台厂由华邦开出涨价第一枪，报价涨幅上看两成。
法人看好，华邦大幅调涨DDR3报价，不仅有利华邦基本面走势，钰创、晶豪科等DRAM供应商后续也有机会跟上这波涨势，同步吃香。
业界人士分析，AI今年成为终端市场主流，引动HBM需求爆发，甚至出现供不应求的态势，由于价格相对高且利润佳，三星、SK海力士、美光积极投入HBM的生产，主要产能并同步瞄准最新的DDR5市场商机，对于相对旧规格的DDR4及DDR3等DRAM则选择维持在减产前的产能，甚至逐步淡出DDR3市场。
全球三大存储器厂无暇兼顾DDR3市场之际，随着物联网、网通及车用等大量终端市场仍在使用旧规格的DRR3或DDR4，但由于导入AI技术后，终端产品对DDR3亦有容量升级的需求，在需求大开、制造商产能供应未增的情况下，DDR3市场自去年完成库存去化后，今年第2季开始，DDR3传出将开始面临供给吃紧、推升价格走扬。
业界指出，三星、美光及SK海力士去年第4季及今年第1季已经陆续喊涨DDR3，近期华邦则规画在第2季调升DDR3规格DRAM，且一口气要大涨两成，成为台湾第一家率先大规模涨价的存储器芯片供应商。
据了解，DDR3目前已经是利基型存储器，主要应用在网通、物联网或穿戴装置等终端产品线需求正逐步崛起，但市面上仍以DDR3为主要应用利基型存储器，随着终端市场近期掀起回温，成为DDR3需求步入供给吃紧的另一大主因。
华邦总经理陈沛铭先前指出，预估第2季或第3季的DDR3市场即会达到供需平衡或略微供不应求的状况，有助价格上涨趋势，对以DDR3为营收主力的华邦营运有利。
华邦2022年已宣布将持续扩产DDR3产品线，且预期在未来十年继续生产DDR3，涵盖LPDDR3、1Gb至4Gb的DDR3等产品，并将其应用在AI加速器、物联网、汽车、电信、WiFi 6／6E及光纤等相关应用。华邦目前在DRAM相关营收占比仍维持过半水平，又以DDR3为大宗。
据集邦科技(TrendForce)研究显示，受惠于备货动能回温，以及三大原厂控产效益显现，主流产品的合约价格走扬，带动去(2023)年第四季全球DRAM产业营收达174.6亿美元，季增29.6%。TrendForce指出，目前观察2024年第一季DRAM市场趋势，原厂目标仍为改善获利，涨价意图强烈，促使DRAM合约价季涨幅近两成，然出货位元则面临传统淡季而略为衰退。
上季营收方面，三大原厂的成长幅度以三星(Samsung)最高，营收达79.5亿美元，季增幅逾五成，主要受惠1alpha nm DDR5出货拉升，使得Server DRAM的出货位元季增超过60%。SK海力士(SK hynix)，虽出货位元季增仅1~3%，然持续受惠于HBM、DDR5的价格优势，以来自于高容量Server DRAM模组的获利，平均销售单价季增17~19%，去年第四季营收达55.6亿美元，季增20.2%。美光(Micron)量价齐扬，出货位元及平均销售单价均季增4~6%，DDR5与HBM比重相对低，故营收成长幅度较为和缓，去年第四季营收达33.5亿美元，季增8.9%。
产能规划方面，三星去年第四季大幅减产后，在库存压力改善后，今年第一季投片开始回升，稼动率约为80%。下半年旺季，需求预期将较上半年明显增温，产能会持续拉高至第四季。SK海力士则积极扩张HBM产能，投片量缓步增加，随着HBM3e量产后，相关先进制程投片亦持续上升。美光投片量有回温趋势，后续将积极增加其先进制程1beta nm比重，用于生产HBM、DDR5与LPDDR5(X)产品，因先进制程的设备增加，届时产能将较为收敛。
台厂方面，南亚科量价齐扬，其中Consumer DRAM终端销售动能回升较缓，主要来自价格回升所带动的备货动能，去年第四季营收季增12.1%，达2.74亿美元。华邦电(2344)因KH厂新增产能开出，销售目标以去化库存、扩大客户群为主，并未调涨合约价格，出货表现积极，带动去年第四季营收季增19.5 %，约1.33亿美元。力积电(6770)受惠于现货、合约价格陆续上涨，客户端备货力道提升，加上出货基期低，去年第四季DRAM营收成长高达110%，达3,900万美元，若加计代工，合计营收则季增11.6%。
自去年下半年以来，NAND Flash市场需求逐渐回暖，价格也持续上涨。根据TrendForce发布的数据显示，预计2024年第一季度NAND Flash合约价将环比上涨约15%~20%。NAND Flash控制大厂慧荣总经理苟嘉章近日接受媒体采访时表示，NAND Flash第二季度的价格预计将会继续上涨20%，并且涨势将持续到2025年上半年，整体持续向上的状态预计将可维持两年的时间。
苟嘉章强调，不管是DRAM或NAND Flash的情况，因为此前经历了有史以来时间最长的下行周期之后，各家厂商的资本投资也将会较为谨慎，不会像过去大规模的投资。尤其是现在供不应求的HBM技术门坎较高，投资金额比较大。万一无法回收，对供应商的冲击很大。对于2024年存储市场是否会看到恢复至减产前的水准，苟嘉章强调，这情况不敢确定。
