半岛彩票存储芯片将迎“开年第一涨”。据《台湾电子时报》近日报道，三星、美光两家存储芯片大厂日前正规划在2024年一季度将DRAM芯片价格调涨15%-20%，从1月起执行。市场上部分厂商已收到了三星的涨价预告。“存储三巨头”中的另一家SK海力士去年10月已官宣涨价，计划将卖给厂商客户的DRAM、NAND Flash芯片合约价上调10%-20%。据《台湾经济日报》上月底报道，NAND芯片报价仍未达到厂商盈亏平衡点，短期内或将再迎来高达50%的“暴力涨价”。
尽管存储芯片涨价消息不绝于耳，但从二级市场表现来看，佰维存储今年首个交易日(1月2日)股价提前20CM跌停，1月3日无视涨价利好收盘大跌近11%。拉长时间来看，佰维存储自去年6月历史高点迄今股价累计最大跌幅达65.41%，兆易创新、好上好、精智达、万润科技和精测电子自去年高点迄今股价累计最大跌幅分别达46.75%、47.33%、39.65%、39.50%和30.36%。
▌曾经的7倍大牛股佰维存储“提前“20CM跌停500亿龙头兆易创新跌破去年“业绩底” 分析人士指出此次存储市场价格上涨更多借助减产并非需求复苏拉动
佰维存储周五收盘跌近4%，开年以来公司股价加速下跌迄今累计最大跌幅达37.44%。据《台湾电子时报》1月3日报道称三星和美光规划在2024年一季度将DRAM芯片价格调涨15%-20%，佰维存储1月2日股价提前20CM跌停，次日无视涨价利好收盘大跌近11%。拉长时间来看，上市即将满13个月的佰维存储股价累计最大涨幅达678%，但自去年6月历史高点以来累计最大跌幅近七成(65.41%)。
佰维存储在1月3日发布的机构调研公告中表示，公司9月单月营收已接近5亿元，Q4业绩进一步回升向好，毛利率迅速提升。从在手订单情况看，预计2024年Q1将会延续这样的态势。据公司上市后的首份三季报来看，前三季度净利巨亏约4.84亿元，同比盈转亏。存储芯片将迎“开年第一涨”。据《台湾电子时报》近日报道，三星、美光两家存储芯片大厂日前正规划在2024年一季度将DRAM芯片价格调涨15%-20%，从1月起执行。市场上部分厂商已收到了三星的涨价预告。“存储三巨头”中的另一家SK海力士去年10月已官宣涨价，计划将卖给厂商客户的DRAM、NAND Flash芯片合约价上调10%-20%。据《台湾经济日报》上月底报道，NAND芯片报价仍未达到厂商盈亏平衡点，短期内或将再迎来高达50%的“暴力涨价”。
尽管存储芯片涨价消息不绝于耳，但从二级市场表现来看，佰维存储今年首个交易日(1月2日)股价提前20CM跌停，1月3日无视涨价利好收盘大跌近11%。拉长时间来看，佰维存储自去年6月历史高点迄今股价累计最大跌幅达65.41%，兆易创新、好上好、精智达、万润科技和精测电子自去年高点迄今股价累计最大跌幅分别达46.75%、47.33%、39.65%、39.50%和30.36%。
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佰维存储周五收盘跌近4%，开年以来公司股价加速下跌迄今累计最大跌幅达37.44%。据《台湾电子时报》1月3日报道称三星和美光规划在2024年一季度将DRAM芯片价格调涨15%-20%，佰维存储1月2日股价提前20CM跌停，次日无视涨价利好收盘大跌近11%。拉长时间来看，上市即将满13个月的佰维存储股价累计最大涨幅达678%，但自去年6月历史高点以来累计最大跌幅近七成(65.41%)。
佰维存储在1月3日发布的机构调研公告中表示，公司9月单月营收已接近5亿元，Q4业绩进一步回升向好，毛利率迅速提升。从在手订单情况看，预计2024年Q1将会延续这样的态势。据公司上市后的首份三季报来看，前三季度净利巨亏约4.84亿元，同比盈转亏。
数据显示，佰维存储存储产品业务营收占比约92%。公司是业内少数的研发封测一体化存储厂商，自建封测厂以满足自身的NAND与DRAM存储芯片及模组的封测制造需求。此外，佰维存储的企业级SSD和服务器内存条可应用于算力服务器，公司高端的存储芯片包括用于智能手表、AR/VR等旗舰穿戴产品ePOP存储芯片，面向中高端手机的UFS3.1、LPDDR5、uMCP存储芯片等。
与佰维存储一样，兆易创新1月3日股价收盘大跌超4%，跌穿去年8月底的股价低点。彼时兆易创新披露的半年报显示上半年净利润3.36亿元，同比下降78%。拉长时间来看，兆易创新自2021年历史高点迄今股价累计最大跌幅达67.32%。
东海证券9月6日研报显示，兆易创新2022年存储芯片营收为48.26亿元，业务营收占比近七成。兆易创新形成NOR、NAND和DRAM三大存储芯片的全平台布局，国元证券2023年11月研报指出，据Web-Feet Research报告，公司2022年Serial NOR Flash市占率增至20%，排名全球第三、大陆厂商第一。DRAM方面，公司与长鑫存储密切合作，积极切入利基型DRAM市场，已推出DDR4、DDR3L产品，在消费电子(机顶盒、电视、智能家居等)、工业、网络通信等领域取得较好营收，DDR4 8Gb新品按研发节奏推进中。未来预计DRAM将逐渐转向以自研为主、附加值较低的代销DRAM占比将逐渐下降，有利于公司盈利能力持续改善。此外，在NAND Flash产品方面，公司NAND Flash产品属于SLC NAND，产品容量从1Gb至8Gb覆盖主流容量类型，电压涵盖1.8V和3.3V，提供传统并行接口和新型SPI接口两个产品系列。
分析人士指出，存储市场新年伊始的这次上涨并非由需求复苏拉动，而是靠芯片厂过去一年执行的减产计划强势扭转而来。由于存储芯片巨头的持续减产，DRAM、NAND价格在2023年第四季度止跌并迎来反转。由此可见，行业产能下调才是推动次轮存储芯片价格上涨的主要原因。
另有产业链人士表示，减产是原厂不得已为之，在这轮调整中，上游存储大厂面临着亏损和高库存的双重压力，只能通过减产来重新平衡供需关系。但最终还是要看下游需求，供需关系不是一下子能反转过来的。
